在此基礎上,通過分析整個級聯型低噪聲放大器的密勒效應對優化設計的影響,進一步提出了對共柵級MOSFET的溝道寬度優化的必要*。
這種高度緊湊的收發芯片由低噪聲放大器、帶檢波器的功放、帶緩衝放大器的壓控振盪器、混頻器*波混頻器組成。
低噪聲放大器和下變換器內置於連接到饋電的一個設備。
本文的前三章簡單介紹了低噪聲放大器的發展,寬帶低噪聲放大器的基本理論和設計。
指出了要使單路檢測系統的光電檢測信噪比接近於量子噪聲極限,應採用窄帶低噪聲放大器與光電檢測器相連接;
這篇論文以x波段雷達接收機前端關鍵器件的優化設計為目標,包括收發開關、電調衰減器、低噪聲放大器和混頻器的設計。
它既可作為大動態範圍數字式微伏表,又可作為多通道大動態範圍低噪聲放大器使用。