由於磁場變化對普通金屬只會造成遠遠不到百份之一的電阻變化,這種現象被稱為“巨磁電阻”或巨磁阻GMR。
巨磁阻抗軟磁薄膜因為在製備上與集成電路工藝具有兼容*而在傳感器等工程領域具有廣闊的應用前景。
運用推導得到的三明治薄膜的阻抗公式和有效磁導率公式,計算三明治薄膜的各個參數對其巨磁阻抗效應的影響。