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發表於:2020-04-01
問題詳情:如圖所示,真空室記憶體在寬度為s=8cm的勻強磁場區域,磁感應強度B=0.332T,磁場方向垂直於紙面向裡,緊挨邊界ab放一點狀粒子放*源S,可沿紙面向各個方向放*速率相同的粒子,粒子質量為m=6....
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發表於:2021-03-25
問題詳情:如圖所示,真空室記憶體在寬度為d=8cm的勻強磁場區域,磁感應強度B=0.332T,磁場方向垂直於紙面向裡;ab、cd足夠長,cd為厚度不計的金箔,金箔右側有一勻強電場區域,電場強度E=3.32×105N/C;...
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發表於:2022-04-11
問題詳情:(18分)如圖*所示,在一水平放置的隔板MN的上方,存在一磁感應強度為B=0.332T的勻強磁場,磁場方向如圖所示。O為隔板上的一個小孔,通過小孔O可以沿不同方向向磁場區域發*速率均為的帶電...