目前半導體生產正在進行一場“銅芯片”*：在硅芯片上用銅代替鋁佈線。古老的金屬銅在現代科技應用上取得了突破。...

問題詳情：

 目前半導體生產正在進行一場“銅芯片”*：在硅芯片上用銅代替鋁佈線。古老的金屬銅在現代科技應用上取得了突破。用黃銅礦(主要成分為CuFeS2)生產粗銅，其反應原理如下：

（1）基態銅原子的價電子排布式為____________，硫、氧元素相比，第一電離能較大的元素是________(填元素符號)。

（2）反應①、②中均生成有相同的氣體分子，該分子的中心原子雜化類型是_________，其立體結構是________，與該分子互為等電子體的單質氣體的化學式是________。

（3）某學生用硫*銅溶液與氨水做了一組實驗：CuSO4溶液藍*沉澱沉澱溶解，得到深藍*透明溶液。生成藍*沉澱溶於氨水的離子方程式為__________________；

（4）銅是第四周期最重要的過渡元素之一，其單質及化合物具有廣泛用途。銅晶體中銅原子堆積方式為________；銅的某種氧化物晶胞結構如圖所示，若該晶體的密度為d g/cm3，阿伏加德羅常數的值為NA，則該晶胞中銅原子與氧原子之間的最近距離為________pm。(用含d和NA的式子表示)

【回答】

【*】    (1). 3d104s1    (2). O    (3). sp2雜化    (4). V型    (5). O3（或氣態S3）    (6). Cu(OH)2＋4NH3·H2O===[Cu(NH3)4］2＋＋2OH－＋4H2O或Cu(OH)2＋4NH3=== [Cu(NH3)4］2＋＋2OH－    (7). 面心立方最密堆積    (8). 。

【解析】試題分析：（1）銅位於第四周期IB族，價電子包括最外層電子和次外層電子的d能級，即銅原子的價電子為3d104s1，同主族從上到下第一電離能減小，即O的第一電離能最大；(2)產生的氣體為SO2，中心原子S的含有2個σ鍵，孤電子對數(6－2×2)/2=1，雜化軌道數為3，即類型是sp2，立體結構是V型；單質的等電子體為O3；(3)形成絡合物，其離子反應方程式為：Cu(OH)2＋4NH3·H2O===[Cu(NH3)4]2＋＋2OH－＋4H2O或Cu(OH)2＋4NH3===[Cu(NH3)4]2＋＋2OH－；（4）銅晶體的是面心立方最密堆積，O的個數為8×1/8＋1=2，銅位於體心，化學式為Cu2O，晶胞的質量為2×144/NAg，根據晶胞的密度定義，晶胞的邊長是cm，銅和氧原子最近的原子之間距離是體對角線的1/4，因此距離是pm。

考點：考查電子排布式、第一電離能、雜化類型、配合物、晶胞等知識。

知識點：物質結構 元素週期律

題型：綜合題