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鈦*鋇粉體是電子陶瓷元器件的重要基礎原料。工業上以TiCl4、BaCO3、H2C2O4等物質為原料製備草*氧鈦...

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問題詳情:

鈦*鋇粉體是電子陶瓷元器件的重要基礎原料。工業上以TiCl4、BaCO3、H2C2O4等物質為原料製備草*氧鈦鋇晶體[BaTiO(C2O4)2·4H2O],再高温煅燒製得鈦*鋇粉體。請回答下列問題:

(1)基態Ti原子的價電子排布圖為__,同週期元素中,基態原子未成對電子數與Ti相同的元素有___(填元素符號)。

(2)第IIA族(鹼土金屬)元素的原子序數、原子半徑、第一電離勢(從元素的氣態基態原子中將一個電子移至無窮遠處時所需做的功)如下表所示。

元素

原子序數

原子半徑/pm

每一電離勢/eV

Be

4

89

9.32

Mg

12

136

7.644

Ca

20

174

6.111

Sr

38

191

5鈦*鋇粉體是電子陶瓷元器件的重要基礎原料。工業上以TiCl4、BaCO3、H2C2O4等物質為原料製備草*氧鈦...692

Ba

56

198

5.21

①由上表數據可知,相鄰元素原子半徑差值∆r(Be-Mg)、∆r(Mg-Ca)明顯大於∆r(Ca-Sr)、∆r(Sr-Ba),試解釋其原因__。

②由上表數據可知,隨原子序數的遞增,第IIA族元素的第一電離勢依次減小,試解釋其原因__。

(3)已知草*分子的結構簡式為鈦*鋇粉體是電子陶瓷元器件的重要基礎原料。工業上以TiCl4、BaCO3、H2C2O4等物質為原料製備草*氧鈦... 第2張

①草*分子中,碳原子的雜化方式為__。

②由此結構簡式可預測草*__(填“難溶”“微溶”或“易溶”)於水和乙醇。

③已知草*和液溴的相關數據如下,草*熔點高於液溴的原因是__。

名稱

化學式

相對分子質量

熔點

草*

H2C2O4

90

101℃

液溴

Br2

160

-7.2℃

(4)設NA是阿伏加德羅常數的值,已知鈦*鋇的立方晶胞結構如圖所示,晶胞中Ti原子的配位數為__,其晶胞參數約為apm,鈦*鋇晶體的密度ρ=__-3。(列式即可)

鈦*鋇粉體是電子陶瓷元器件的重要基礎原料。工業上以TiCl4、BaCO3、H2C2O4等物質為原料製備草*氧鈦... 第3張

【回答】

    (1). 鈦*鋇粉體是電子陶瓷元器件的重要基礎原料。工業上以TiCl4、BaCO3、H2C2O4等物質為原料製備草*氧鈦... 第4張    (2). Ni、Ge、Se    (3). Be與Mg、Mg與Ca核電荷數相差8,原子核對核外電子的引力增加較小,而增加一個電子層時原子半徑增大幅度較大;Ca與Sr、Sr與Ba核電荷數相差18,原子核對核外電子的引力增加較大,而增加一個電子層時原子半徑增大幅度較小    (4). 隨着原子序數的遞增,原子半徑依次增大,原子核對最外層電子的引力減弱,第一電離勢依次減小    (5). sp2    (6). 易溶    (7). 草*能形成分子間*鍵,熔點較高;液溴分子間只存在範德華力,熔點較低    (8). 6    (9). 鈦*鋇粉體是電子陶瓷元器件的重要基礎原料。工業上以TiCl4、BaCO3、H2C2O4等物質為原料製備草*氧鈦... 第5張

【解析】

(1)基態Ti原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d24s2,由此可畫出價電子排布圖,同週期元素中,基態原子未成對電子數與Ti相同的元素,其價電子排布可能為3d84s2、4s24p2、4s24p4。

(2)①由上表數據可知,相鄰元素原子半徑差值∆r(Be-Mg)、∆r(Mg-Ca)明顯大於∆r(Ca-Sr)、∆r(Sr-Ba),可從核電荷數的變化、原子半徑的變化進行解析。

②由上表數據可知,隨原子序數的遞增,第IIA族元素的第一電離勢依次減小,從原子半徑變化及原子核對外層電子的吸引力解釋原因。

(3)①草*分子中,碳原子的價層電子對數為3,由此可得出雜化方式。

②草*分子中含有水溶*基團羧基,由此可預測草*在水和乙醇中的溶解*。

③草*和液溴都形成分子晶體,草*分子間能形成*鍵,熔點高於液溴。

(4)從晶胞中Ti原子周圍O原子的分佈,可確定其配位數;由晶胞參數可求出體積,再利用晶胞中所含原子數計算質量,最後求出鈦*鋇晶體的密度。

【詳解】(1)基態Ti原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d24s2,由此可畫出價電子排布圖為鈦*鋇粉體是電子陶瓷元器件的重要基礎原料。工業上以TiCl4、BaCO3、H2C2O4等物質為原料製備草*氧鈦... 第6張,同週期元素中,基態原子未成對電子數與Ti相同的元素,其價電子排布可能為3d84s2、4s24p2、4s24p4,則對應元素為Ni、Ge、Se。*為:鈦*鋇粉體是電子陶瓷元器件的重要基礎原料。工業上以TiCl4、BaCO3、H2C2O4等物質為原料製備草*氧鈦... 第7張;Ni、Ge、Se;

(2)①由上表數據可知,相鄰元素原子半徑差值∆r(Be-Mg)、∆r(Mg-Ca)明顯大於∆r(Ca-Sr)、∆r(Sr-Ba),可從核電荷數的變化、原子半徑的變化進行解析,其原因為Be與Mg、Mg與Ca核電荷數相差8,原子核對核外電子的引力增加較小,而增加一個電子層時原子半徑增大幅度較大;Ca與Sr、Sr與Ba核電荷數相差18,原子核對核外電子的引力增加較大,而增加一個電子層時原子半徑增大幅度較小。*為:Be與Mg、Mg與Ca核電荷數相差8,原子核對核外電子的引力增加較小,而增加一個電子層時原子半徑增大幅度較大;Ca與Sr、Sr與Ba核電荷數相差18,原子核對核外電子的引力增加較大,而增加一個電子層時原子半徑增大幅度較小;

②由上表數據可知,隨原子序數的遞增,第IIA族元素的第一電離勢依次減小,從原子半徑變化及原子核對外層電子的吸引力解釋,其原因為隨着原子序數的遞增,原子半徑依次增大,原子核對最外層電子的引力減弱,第一電離勢依次減小。*為:隨着原子序數的遞增,原子半徑依次增大,原子核對最外層電子的引力減弱,第一電離勢依次減小;

(3)①草*分子中,碳原子的價層電子對數為3,則碳原子的雜化方式為sp2。*為:sp2;

②草*分子中含有水溶*基團羧基,由此可預測草*易溶於水和乙醇。*為:易溶;

③草*和液溴都形成分子晶體,草*分子間能形成*鍵,由此確定草*熔點高於液溴的原因是草*能形成分子間*鍵,熔點較高;液溴分子間只存在範德華力,熔點較低。*為:草*能形成分子間*鍵,熔點較高;液溴分子間只存在範德華力,熔點較低;

(4)晶胞中,Ti原子周圍距離最近的O原子位於稜的中點,由此可確定其配位數為鈦*鋇粉體是電子陶瓷元器件的重要基礎原料。工業上以TiCl4、BaCO3、H2C2O4等物質為原料製備草*氧鈦... 第8張=6;在晶胞內,含有1個Ba離子,含Ti原子數為8×鈦*鋇粉體是電子陶瓷元器件的重要基礎原料。工業上以TiCl4、BaCO3、H2C2O4等物質為原料製備草*氧鈦... 第9張=1,O原子數為12×鈦*鋇粉體是電子陶瓷元器件的重要基礎原料。工業上以TiCl4、BaCO3、H2C2O4等物質為原料製備草*氧鈦... 第10張=3,則鈦*鋇晶體的密度ρ=鈦*鋇粉體是電子陶瓷元器件的重要基礎原料。工業上以TiCl4、BaCO3、H2C2O4等物質為原料製備草*氧鈦... 第11張=鈦*鋇粉體是電子陶瓷元器件的重要基礎原料。工業上以TiCl4、BaCO3、H2C2O4等物質為原料製備草*氧鈦... 第12張-3。*為:6;鈦*鋇粉體是電子陶瓷元器件的重要基礎原料。工業上以TiCl4、BaCO3、H2C2O4等物質為原料製備草*氧鈦... 第13張

【點睛】計算晶胞中所含原子數時,採用均攤法。原子位於立方體的頂點時,只有八分之一屬於此晶胞;原子位於稜上時,只有四分之一屬於此晶胞;原子位於面心時,只有二分之一屬於此晶胞;原子位於體內時,則完全屬於此晶胞。

知識點:物質結構 元素週期律

題型:綜合題

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