-
發表於:2018-05-19
它們的壓電和介電*能與合適的四方*等結構特*有關。電路板介電*能的缺陷會給寄生漏電流提供路徑。從提高材料介電*能的角度,羰基鐵粉的加入提高了其介電常數,但同時也導致其介電損耗的增...
-
發表於:2024-01-11
1、圖4-2説明使用靜電計確定介電吸收的基本電路。2、為了保*低泄漏電流和低介電吸收,反饋電容器應當由合適的介電材料(如聚苯乙烯、聚*烯或聚四*乙烯)製成。...
-
發表於:2017-09-18
電子陶瓷材料是材料科學當中的重要領域,在半導體材料、壓電材料、鐵電材料、介電材料及絕緣材料等方面都具有廣泛應用。High-k介電材料其實對於業界並不是全新事物。晶體結構、反商晶格...
-
發表於:2019-01-29
本文對1,2-聚丁二烯的介電鬆弛進行了複平面分析。終止速度常數和介電鬆弛頻率度對比示於表5.1和表5.2中,二者都是在稀溶液中測得的。...
-
發表於:2017-01-13
真空中的介電常數是。第一介電層覆蓋成對的維持電極。因為水分子在微波電場下有強烈及明顯的介電效應,其介電值約為電解電容依賴於充電以維持其氧化鋁的介電特*。如果長時間不充電,其電...
-
發表於:2018-08-02
該致動器單元(AU)尤其可以對相鄰樣品室中的樣品(1)施加介電電泳力,該敏感單元(SU)任選地測量所述樣品的屬*。...
-
發表於:2024-02-05
1、本文建立了介電泳顆粒流動中的電場分佈和焦耳熱效應的理論模型。2、以行波介電泳基本原理為基礎,對微納粒子*控技術的機理與實驗進行了研究。3、但是通過介電泳對組裝的微納結構進行...
-
發表於:2018-09-09
在本文的研究中,我們以時域介電譜技術為基礎,通過觀察樣品在某一恆定温度下對激勵它的階躍電壓的響應,來求取材料的基本介電參數數據。利用微波吸收介電譜檢測技術測得了還原增感立方體*...
-
發表於:2019-05-30
問題詳情: K-介子衰變的方程為其中K-介子和π-介子帶負的基本電荷,π0介子不帶電。一個K-介子沿垂直於磁場的方向*入勻強磁場中,其軌跡為圓弧AP,衰變後產生的π-介子的軌跡為圓弧PB,兩軌跡在P點...
-
發表於:2024-01-31
1、不同結構介質阻擋放電的放電特*。2、以介質阻擋放電照相技術為背景,建立了介質阻擋放電的一維模型。3、高頻高壓脈衝電源是介質阻擋放電的核心部分。4、對共面介質阻擋放電(DBD)的放...
-
發表於:2019-08-24
問題詳情:如圖,K-介子衰變的方程為,其中K-介子和π-介子帶負的基元電荷,π0介子不帶電。一個K-介子沿垂直於磁場的方向*入勻強磁場中,其軌跡為圓弧AP,衰變後產生的π-介子的軌跡為圓弧PB,兩軌...
-
發表於:2018-06-10
電介質強度測試者應該按照UL745-1規範。電介質強度測試者應該按照UL745-1規範。電氣強度測試儀(也稱為耐壓測試儀,電介質強度測試儀,閃點測試器,高壓測試儀)是用來測量此類電流值的測試儀...
-
發表於:2018-02-22
測量復介電常數時通常會得到一個復超越方程。其頻域復介電常數可很好地擬合為兩項之和。評價吸波效能的主要參數是損耗因子、復介電常數、復磁導率。採用固定腔長法,推導了計算復介電常...
-
發表於:2024-01-05
1、cch片式高壓瓷介電容是片式電容的一種,應用廣泛,需求很大.2、高壓瓷介電容器按國家標準要求生產外,還可以按協議要求的電壓生產3、擊穿破壞電壓是交流瓷介電容器最主要的技術參數,也...
-
發表於:2018-09-11
而鉛欠缺對介電損耗影響很小。玻璃微珠含量為40%的複合材料在X波段具有較好的介電損耗和磁損耗*能,其介電損耗角正切值和磁損耗角正切值分別可達0.30和0.10。其介電常數、磁導率基本都...
-
發表於:2024-02-10
1、其次,討論社區傳播的媒介類別:社區平面媒介、社區電子媒介、社區網絡媒介、社區活動等等。2、電子媒介當然為這些提供了更多便利。3、所謂"新媒介"是指除了傳統的印刷媒介、廣播和...
-
發表於:2018-04-01
這便是電腦媒介的“超人際傳播”效果。許多人都被要求尋找一種方式來“推”從他們的筆記本電腦媒介,特別是從他們的電視或家庭*系統。...
-
發表於:2017-02-13
不含無機導電介質的抗靜電纖維。導電介質中的平面電磁波在介質的分界面上也發生反*與透*。第10周靜電場中的導體、電容器和導體的電容;靜電場中的電介質、有介質時的高斯定理。它由一個...
-
發表於:2017-11-30
本文介紹了一種新的攪拌法,應用於絕緣油介電強度的測定。在理想的狀態下,真空有可能達到每1毫米10000v的介電強度。在理想的狀態下,真空有可能達到每0。米的介電強度。在聚合物電老化擊穿...
-
發表於:2018-06-28
真空中的介電常數是。滲錫層診斷*:滲錫層的介電常數大於浮法玻璃內部的介電常數。高介電常數具有*鍵液體的特徵.高介電常數具有*鍵液體的特徵矩形貼片天線的重要參數是介電常數和麪積。...
-
發表於:2021-08-02
問題詳情: K-介子衰變的方程為:K-→π-+π0,其中K-介子和π-介子帶負的基元電荷,π0介子不帶電。一個K-介子沿垂直於磁場的方向*入勻強磁場中,其軌跡為圓弧AP,衰變後產生的π-介子的軌跡為圓弧PB,兩...
-
發表於:2024-01-01
1、在這種稱為「等離子體狹縫形波導」的裝置中,改變介電質核心的厚度即可改變等離子體的波長。2、本文簡要介紹了電子陶瓷系統中絕緣體、介電質、壓電體及鐵電薄膜材料及其製備工藝和應用方...
-
發表於:2021-04-11
問題詳情:K¯介子方程為K¯→π¯+π0,其中K¯介子和π¯介子帶負的基元電荷,π0介子不帶電。一個K¯介子沿垂直於磁場的方向*入勻強磁場中,其軌跡為圓弧AP,衰變後產生的π¯介子的軌跡為圓...
-
發表於:2017-11-13
因此擊穿電壓的檢測必須重視電介質擊穿現象的電參數值的測量。提出了芯片門電路硅氧化層靜電放電介質擊穿的物理模型。通過固體電介質擊穿理論的分析,提出由局部*缺陷發展逐漸導致介質...
-
發表於:2024-01-09
1、研製了用於測量黏稠電介質的相對介電常數的實驗裝置。2、相對介電常數和介質損耗角正切是其中的兩個重要的*能指標.3、數值結果表明,相對介電常數和相對磁導率相等的磁*平板具有最佳...