隨着集成電路工藝製程進入超深亞微米甚至納米級,集成電路的功耗問題顯得日益突出。
我自己翻譯了一遍 還希望老鳥幫助 一下是中文:功率MOS場效應晶體管是在MOS集成電路工藝基礎上發展起來的新一代電力開關器件。
其中硅基鍺量子點器件因其製備工藝與成熟的大規模集成電路工藝的兼容*而更加受到人們的重視。
巨磁阻抗軟磁薄膜因為在製備上與集成電路工藝具有兼容*而在傳感器等工程領域具有廣闊的應用前景。
與試驗設計方法相結合,提出了一個用於集成電路工藝實時統計分析的方法。
然而,利用標準的集成電路工藝實現高Q值的片上可變電容是非常困難的。