7、良品率高、損耗少、氧、碳含量均在允許範圍內，為下一步單晶硅片的生產提供了高度的質量保障。
11、採用過濾*極真空電弧技術並施加一定的襯底負偏壓，在P（100）單晶硅片上製備出四面體非晶碳薄膜。
2、主要從事太陽能單晶硅棒、單晶硅片、太陽能電池組件的設計、生產、銷售和服務。
6、研究了利用低能離子束技術，在單晶硅片等多種基體表面形成類金剛石薄膜（DLC膜）。
12、NX系列超聲波清洗系統，是本公司結合國外清洗機的特點，精心設計，主要運用於單晶硅片、電子零件、光學鏡片、小五金和精密機械零件等行業。
4、本實驗通過系統地改變沉積參數，在經過清洗好的單晶硅片上沉積了一系列的氮化硅薄膜。
10、採用直拉單晶硅片代替成本較高的外延硅片，採取鉑擴散的方法引入複合中心，從而控制少子壽命以減少快恢復二極管的反向恢復時間。
5、選擇可溶*銪鹽溶液為原料，利用三電極電化學池在單晶硅片上進行薄膜沉積。
1、採用磁控*頻反應濺*法在單晶硅片上製備了二氧化硅薄膜。
13、集成電路特徵線寬的不斷減小對直拉（CZ）單晶硅片中的缺陷控制和內吸雜技術提出了愈來愈高的要求。
3、研究金剛石砂輪磨削單晶硅片時的表面磨削温度。
9、我司生產的單晶硅片品質佳、表面無玷污、無凹坑和異常斑點，轉化率高。
8、本文采用直流反應磁控濺*工藝，以金屬鎢為靶材，在玻璃和單晶硅片上沉積了WO 3薄膜。
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