採用經驗緊束縛近似方法模擬了Si表面0。L*化結構。
通常採用含兩個耦合參數的緊束縛近似,就能很好地描述光子晶體缺陷因耦合而導致的共振頻率*。
本論文主要研究了在緊束縛近似下,一維長程關聯無序系統的輸運*質,包括對角關聯無序和非對角關聯無序。
同研究一維準週期序列一樣,首先在緊束縛近似的框架下,建立了伽羅華序列的兩種模型:遷移模型和座模型,並數值計算得到了這兩種模型的電子能譜結構圖。
採用最近鄰緊束縛近似分析了雪花分形的電子能譜和狀態,得到了前二級分形的電子*質,並對譜的特*進行了分。
利用緊束縛近似方法,在數學軟件MATLAB中繪製簡立方晶格S態電子在第一布里淵區的等能面.