“束縛能”簡單造句，束縛能造句子

這説明該模型也適用於對量子環中激子的束縛能和PL譜等物理*質的研究。

在第二部分，我們採用第一部分所選的變分波函數和得到的束縛能進一步計算了類*雜質體系的光致電離截面。

若入*粒子能量大於原子的束縛能則電離是主要的。

利用B樣條技術計算類*施主雜質量子環能級和束縛能的量子尺寸效應。

VI 族半導體具有大的禁帶寬度、較大的激子束縛能和強的室温激子效應，一向被認為是製備室温激子非線*器件和短波長髮光器件的重要侯選材料之一。

用EHT緊束縛能帶計算方法，研究了四元合金的電子結構。

本文研究了在靜態時不同勢場下，標示核物質*質的核物質內部壓強和束縛能對核物質密度的依賴關係。

採用緊束縛能帶理論，利用所提出的考慮捲曲效應的緊束縛能量哈密頓量，建立了公度雙壁碳納米管（DWNT）的能帶結構模型；

並求得它們對應的束縛能，晶格馳豫能和光離化能。

把方形量子阱線的一維等效勢模型推廣到矩形量子阱線中，通過變分法計算了無限深方形和矩形量子阱線內激子的束縛能，進一步驗*了量子線有-形狀*的度規法則存在。

隨着雜質中心上原子數目的增加，施主束縛能變淺。

那麼我們稱它為第三電離能，或者負的束縛能，還是，2，s，軌道的，但現在我們是從正二價硼離子開始的。

所以如果我們知道晶體中，電子的束縛能，通常這個是很好測的，對於大多數物質，這都是已知的。