用物理氣相沉積法在水平系統中生長有機半導體並五苯晶體薄膜。
塗層的化學氣相沉積(CVD)和表面層改*的物理氣相沉積(PVD)塗層的離子注入，所有三個正在受到考驗，並部分使用。
本文介紹了化學氣相沉積制膜技術在國民經濟各個領域中的應用及其發展趨勢。
應用二維準平面電路模型對等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）大面積平行板電極間電勢差分佈均勻*進行了數值研究。
以*苯為碳源，二茂鐵為催化劑，噻吩為生長促進劑，通過化學氣相沉積方法得到了多分叉結構的炭。
採用*頻-直流等離子體增強化學氣相沉積技術在單晶硅襯底上沉積了類金剛石薄膜
所用的碳納米管是用熱燈絲化學氣相沉積法合成的.
熱梯度化學氣相沉積工藝中避免了等温沉積工藝中預製體表面孔隙過早堵塞的現象，適合製備軸對稱的環形、管型件。
探討如何用電子迴旋共振化學氣相沉積(ECRCVD)設備製備非晶態氮化硅介質膜和光學膜。
為了滿足製備較厚低摩擦係數類金剛石薄膜（DLC）耐磨鍍層的實際需求，對在等離子增強化學氣相沉積的類金剛石薄膜（W-DLC）中摻鎢進行了系統研究。
為快速沉積高品質金剛石膜，建立了熱*極等離子體化學氣相沉積方法。
利用熱分解五羰基鐵氣相沉積的方法成功地製備了微米級鐵纖維。
採用甚高頻等離子體增強化學氣相沉積技術製備了不同襯底温度的微晶硅薄膜。
蘇州鼎利塗層有限公司採用荷蘭技術，*從事物理氣相沉積(PhysicalVaporDeposition)技術的研發、設計、並提供優質的PVD塗層服務。
本發明描述使用定向反應物氣流和相對於所述氣流移動的基板的次大氣壓化學氣相沉積。
課堂講授和實驗課重點介紹了基本製程技術，如擴散、氧化、光刻、化學氣相沉積等。
採用甚高頻等離子體增強化學氣相沉積技術成功地製備了不同硅*濃度和輝光功率條件下的微晶硅電池。
利用熱絲化學氣相沉積，在預沉積無定形碳的硅鏡面基底及表面研磨預處理的銅基底上，實現了金剛石薄膜的沉積，並由此討論了金剛石的成核機理。
本系統中的數字量由PLC控制，數字量主要控制真空系統燒結爐和化學氣相沉積爐中各通氣管路中的開關量
利用微波等離子體化學氣相沉積方法，以H 2、CH4和八*基環四硅氧*(D4)為原料，在硬質合金基體上沉積了金剛石塗層。
本文系統研究了石英鐘罩式微波等離子體輔助化學氣相沉積裝置對沉積金剛石薄膜的影響。
濺*靶材、物理氣相沉積、高温合金。
本文評述了化學氣相沉積法制備人造金剛石薄膜的進展情況
以WF6和H2為原料，粉末冶金鎢板為基體，採用熱絲開管氣流化學氣相沉積試驗裝置，成功地製備出可變形鎢錠。
近年來，化學氣相沉積(CVD)法逐漸應用於車針後續處理過程之中，增強了車針的耐磨*和切削效率。
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