其中，第一個晶粒間界能夠最有效地減少注入飽和少數載流子電流。
本文回顧了超聲波與半導體中的載流子之間的聲電相互作用。
在描述載流子輸運過程的玻爾茲曼方程的碰撞項中考慮了帶間躍遷的貢獻，從而將它推廣到存在非平衡載流子的情況。
在室温條件下測量電流和磁場的大小對載流子濃度和遷移率測量結果的影響。
這種材料中的載流子，許多特*都差不多可用真空中的自由電子的特*來表徵。
另外試驗結果也給研究有機發光二極管中載流子遷移率提供了一些線索。
指出能量轉換特*的最重要的弛豫過程是電子-聲子相互作用，決定了由電子載流子系統到晶格的能量轉換。
利用穩態速率方程，導出了激光器有源區載流子密度與偏置電流及輸入信號光功率關係的隱函數表達式。
由於載流子引起的羣速度*散效應，使遠離飽和區工作的TW-SLA會對有頻率啁啾的光脈衝產生展寬或壓縮。
從統計分佈規律出發，討論了簡併和非簡併情況下載流子等的異同，提出簡併條件下需採用費米分佈來修正遷移率等。
的鈍化效應減少了載流子的散*中心，降低了晶界勢壘，有效地提高了載流子的遷移率。
熱載流子通過發*和吸收聲子,與晶格進行能量交換.
這一設計包含了一條足夠細的隧道，當它關閉時，裏面完全沒有載流子(電子或空穴)，當它打開時，裏面便充滿了載流子，起到了閥門的作用。
雙異質結構實現了光和載流子的完全限制，使閾值電流密度大幅度下降。
計算結果表明，發*區載流子壽命的變化幾乎不影響注入到基區的電子電流，但卻成反比例地影響基區空穴電流。
該表達式可以用來預測激光器激*工作時，兩段載流子濃度和激*波長之間的相互關係。
基於流體動力學能量輸運理論，對槽柵PMOSFET器件的端口特*進行了*研究，包括柵極特*、漏極驅動能力和抗熱載流子*能等。
載流子注入水平的降低，減少了腔面處非輻*複合的發生，因而提高了激光器的災變*光學損傷閾值。
在熱載流子應力條件下，器件的退化主要是由於在漏極附近由熱載流子產生的損傷缺陷引起的。
平衡晶體中載流子的產生與複合處於動態平衡之中。
利用少數載流子的穩態連續*方程和半導體材料對光的吸收，求出光電流的表達式。
實驗認為，器件*能退化是由中子輻照砷化鎵材料的載流子去除效應引起的。
在考慮載流子的空間電荷效應、擴散效應和注入電流脈寬情況下，推導了雙漂移崩越二極管的渡越角表達式。
光子探測器對不同波長的分光響應是不同的，但是存在一個由束縛和自由載流子之間的半導體能隙所確定的能閾。
用於修飾或説明其中既有多數載流子又有少數載流子的半導體器件。
進一步的分析認為，P3峯很可能聯繫於欠摻雜區載流子的異常行為。
紅外等離子反*光譜與晶體材料的載流子濃度、遷移率和有效質量等參數有關。
本文簡明地描述了由載流子帶內弛豫加寬的半經典的密度矩陣理論。
文章研究了摻鐵鈮*鋰晶體在激光輻*下的電荷輸運遷移，探討了光折變過程中光生載流子的漂移、擴散、光致電壓以及空間電荷場的動態過程。
假設自旋極化子和不帶自旋的雙極化子為有機半導體中的載流子。
此外，文中還介紹了交流應力下的熱載流子退化現象，以及在一些特殊器件結構中的退化現象.
對於較高温度下製備的tco薄膜，對載流子遷移率起主要作用的散*機制是帶電離子散*和電中*複合粒子散*。
Ge量子點中的退相可能是載流子-載流子散*和載流子-聲子散*共同作用的結果。
在導電高聚物的有機發光中，的注入載流子形成三重態激子，但是三重態激子是不能自動發光的。
在此基礎上，着重對閾值附近半導體激光器的載流子密度、輸出功率以及閾值電流等重要特*進行了研究。
熱載流子通過發*和吸收聲子，與晶格進行能量交換。
以單位面積下漂移區自由載流子濃度為基礎，得出漂移區電阻的解析模型。
傳導*（學方面）-一種關於載流子通過物質難易度的測量指標。
從狹縫光掃描時一維載流子濃度分佈的理論出發，計算了SPRITE器件的最佳讀出區長度，討論了壽命對SPRITE器件*能的影響。
而這種計算機模擬方法不僅可以得到自由光電子的衰減曲線，還可同時獲得各種俘獲中心中載流子的行為曲線。
這個過程與載流子濃度和晶格温度有密切關係。
在考慮了各種散*效應對遷移率的影響後，提出了短溝道MOST表面載流子遷移率的温度模型。
分析有源區內載流子和VCL光子密度的變化，揭示了增益鉗制的物理機理。
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