“靜電勢”簡單造句，靜電勢造句子

顆粒濃度越大，單位體積所帶的電荷越多，導致靜電勢值越大，反之亦然。

這個框架由以下幾部分組成：決定缺陷濃度的非線*微分方程，靜電勢函數和內應力。

本文推導了電負*電荷與靜電勢電荷的關係，並把電負*電荷用於分子力學計算。

通過調節門電壓可以較好地控制靜電勢孤子的形狀及其位置，從而達到對電荷孤子的有效控制。

體系的態密度投影到半導體碳納米管上，納米管的能隙消失，電子在金屬和碳納米管之間轉移的過程中不存在靜電勢壘。

此方法為*物和生化分子的靜電勢研究提供了便利的工具。

分佈板外環區單獨進氣時，隨氣速增加，流化牀內負靜電勢區域逐漸擴大。

結果表明，在這樣的靜電勢阱中，囚禁中*冷原子是完全可能的。

第二，研究了靜電引發劑對氣固流化牀靜電勢分佈的變化的影響。

在B3LYP/6-311G計算所得的平衡幾何構型基礎上，分別根據靜電勢和分子軌道計算研究了分子中-NH2和-N（CH3）2的親核*，並與偏二*基肼和鹵代烴反應的實驗結果進行了對比分析。

文章討論均勻帶電寬圓環在軸線上和空間任一點的靜電勢。

用四個點電荷構造一個簡單、新穎的靜電勢阱，並基於含時薛定諤方程和有限差分時間域方法，研究冷原子在該勢阱中的量子力學效應。

電子密度梯度直接影響密度漲落，並通過雜質輻*與温度漲落相互耦合，進而影響靜電勢漲落。