1、用兩探針擴展電阻法測量了外延層的雜質分佈。
3、擴展電阻的測試結果顯示出注入的p離子基本上集中在集電區的位置,對發*區和基區未造成顯著影響。
2、討論了在檢測半導體器件和集成電路芯片時,不同研磨傾斜角度對擴展電阻量值的影響。