問題詳情:
週期表前四周期的元素a、b、c、d、e,原子序數依次增大,a和b是組成物質種類最多的元素,c是地殼中含量最多的元素,d與b同族,e2+離子的3d軌道中有9個電子。回答下列問題:
(1)c、d兩種元素形成的化合物統稱硅石,可通過______________方法區分其結晶形和無定形的兩種存在形態,c的電子排布圖為_______________________。
(2)A和B是生活中兩種常見的有機物,A能與CaCO3反應,可用於廚房除水垢;B分子中的碳原子數目與A中相同,可與*反應放出氣體。A中存在的化學鍵類型是______;
A.離子鍵 B.共價鍵 C.金屬鍵 D.*鍵
B分子中碳原子的軌道雜化類型是____。
(3)用“>”或“<”填空:
第一電離能 | 熔點 |
b___d | dc2晶體___d晶體 |
(4)c與e兩種元素可形成一種半導體材料,化學式為e2c,在其立方晶胞內部有四個c原子,其餘c原子位於面心和頂點,則該晶胞中有____個e原子,e元素位於元素週期表的_______區。
(5)向e2+硫*鹽的水溶液中加入過量的氨水,可得到深藍*透明溶液,寫出該配離子的化學式______________。
(6)e單質為面心立方晶體,其晶胞稜長為a nm,則e單質的密度為__________g·cm-3,其空間利用率為________。
【回答】
【*】 (1). X-*線衍*實驗 (2). (3). B (4). sp3 (5). > (6). > (7). 16 (8). ds (9). [Cu(NH3)4]2+ (10). (11). 74%
【解析】
【分析】
a和b是組成物質種類最多的元素,即a是H元素,b是C元素,因為有機物的種類最多,c是地殼中含量最多的元素即O元素,d與b同族,即d是Si元素,e2+離子的3d軌道中有9個電子,即d的核外電子排布為:[Ar]3s23p63d104s1,所以d元素是Cu元素。
【詳解】(1) c、d分別是O和Si元素,他們形成的硅石,可通過X-*線衍*實驗方法區分其結晶形和無定形的兩種存在形態,O原子的電子排布圖為;
故*為:X-*線衍*實驗, ;
(2) A能與CaCO3反應,可用於廚房除水垢,即A是乙*,B分子中的碳原子數目與A中相同,可與*反應放出氣體,即B是乙醇,乙*中存在的化學鍵類型是共價鍵;乙醇分子中的C原子的雜化類型是sp3雜化;
故*為:B;sp3;
(3)b是碳元素,d是硅元素,同一主族元素從上到下,第一電離能逐漸減小,所以第一電離能:C>Si,SiO2中存在Si—O共價鍵,Si晶體中存在Si—Si共價鍵,其中Si—O共價鍵鍵長比Si—Si共價鍵鍵長短,鍵長越短,鍵能越大,熔點就越高,所以SiO2晶體的熔點高於Si晶體;
故*為:> ,>;
(4) 在其立方晶胞內部有四個c原子,其餘c原子位於面心和頂點,即每個晶胞中含有8×+6×+4=8個O原子,根據化學式Cu2O,可知,該晶胞中含有16個Cu原子,Cu元素是29號元素,即位於元素週期表中的ds區;
故*為:16 ,ds;
(5) 向e2+硫*鹽的水溶液中加入過量的氨水,即得到藍*的Cu(NH3)4SO4,該配離子的化學式為:[Cu(NH3)4]2+;
故*為:[Cu(NH3)4]2+;
(6) e即Cu單質為面心立方晶體,即原子位於頂點和麪心,所以這個晶胞中含有Cu原子8×+6×=4個,晶胞邊長anm=a×10-7cm,晶胞體積=(a×10-7cm)3,密度=== g·cm-3;它的空間利用率為:=74%;
故*為: , 74%。
【點睛】鍵長與原子半徑有關係,鍵長越短,鍵能越大,熔沸點越高;注意晶胞中原子個數的計算是解答本題的關鍵。
知識點:物質結構 元素週期律單元測試
題型:綜合題