在半導體離子注入工藝中，初速度可忽略的*離子P＋和P3＋，經電壓為U的電場加速後，垂直進入磁感應強度大小為B、...

問題詳情：

在半導體離子注入工藝中，初速度可忽略的*離子P＋和P3＋，經電壓為U的電場加速後，垂直進入磁感應強度大小為B、方向垂直紙面向裏、有一定寬度的勻強磁場區域，如圖所示．已知離子P＋在磁場中轉過θ＝30°後從磁場右邊界*出．在電場和磁場中運動時，離子P＋和P3＋(　　)

A．在電場中的加速度之比為1∶1

B．在磁場中運動的半徑之比為∶1

C．在磁場中轉過的角度之比為1∶1

D．離開電場區域時的動能之比為1∶3

【回答】

解析：*離子P＋和P3＋的質量相等，在電場中所受的電場力之比為1∶3，所以加速度之比為1∶3，A項錯誤；離開電場區域時的動能之比為1∶3，初速度可忽略的*離子P＋和P3＋，經電壓為U的電場加速後，由動能定理可得，離開電場區域時的動能之比為它們的帶電量之比，即1∶3，D項正確；在磁場中做圓周運動時洛倫茲力提供向心力qvB＝m，可得r＝，＝＝，B項正確；設P＋在磁場中的運動半徑為R，由幾何知識可得磁場的寬度為R，而P3＋的半徑為R，由幾何知識可得P3＋在磁場中轉過的角度為60°，P＋在磁場中轉過的角度為30°，所以*離子P＋和P3＋在磁場中轉過的角度之比為1∶2，C項錯誤．

*：BD

知識點：安培力與洛倫茲力單元測試

題型：多項選擇