7、在這些低維半導體結構中,除了庫侖相互作用外,雜質能級還受限制勢和結構尺度的影響。
4、氮化硅可以通過適當摻雜引入雜質能級,用於製造量子阱獲得藍光激光。
2、最後定*地説明了過渡元素雜質能級的化學趨勢和一些實驗事實。
1、原子序數越大,雜質能級越深。
3、變温實驗説明相應發*峯與材料禁帶中形成的雜質能級有關。
6、天然閃鋅礦晶格中豐富的雜質缺陷在禁帶中形成雜質能級,可將閃鋅礦對光的響應拓展到可見光的波長範圍。
5、提出一種計算摻雜半導體中孤立雜質能級的方法,該方法建立在密度函數理論基礎之上。