在高ECR等離子體密度下沉積高質量氮化鎵薄膜
介紹了一種氧化鋁生產流程中回收鎵的新方法———三段碳*化法。
本文闡述了在氮化鎵生長中使用的藍寶石晶片淨化的重要*。
雷聲公司稱正在演示使用氮化鎵微波集成電路放大器的發*-接收模塊。
該設備的電極由被稱為共晶鎵-銦的獨特液態金屬製成，當它延展和鬆弛時，該液態金屬沿一個表面變化。
這是繼APT、鈷、鉍、鎵、白銀、釩、銻、碲、硒粉等品種在交易所掛牌發售後，泛亞交易所第採用掛牌發售的模式發售新品。
典型*化鎵二極管的輻*功率比典型*砷鎵二極管大10倍左右.
但是，不斷增加的工作頻率和帶寬，將為如砷化鎵和氮化鎵等化合物半導體打開一扇大門。
實驗發現氣凝法生成的氮化鎵奈米微粒以均勻的圓球形分佈。
方法運用電化學方法，以高銅銀*合金為參照，檢測鎵合金在人工唾液中的電化學腐蝕速度。
山西礦藏十分豐富，除煤外，鋁、耐火黏土、鐵*土、珍珠巖、鎵、鉑的儲量均為全國第一，芒*儲量全國第二。
黃河源**設備均採用砷化鎵*化鎵*化物黃*發光二極管。
砷化鎵電池的實驗室效率可達，批量生產可達。
一百富士通公司指出使用氮化鎵高電子遷移率晶體管技術後，新型放大器功率比目前使用砷化鎵晶體管的放大器的功率提高了多。
每塊板上包含的把可以太陽光濃縮400倍的小晶體，主要成分是砷化鎵光電池。並且跟隨太陽軌跡雙軸工作。
在砷化鎵襯底上異質外延*化鎵的表面缺陷與綠*發光管。
這實在令人振奮，因為低損耗窗口正處於砷化鎵激光器的發光波段。
這篇論文中，我們使用脈衝電流探討直流電流下，高功率氮化鎵發光二極體發光效率衰減的因素。
合成的氧化鎵納米結構是單晶體。
鋅窯渣含有浸出渣處理後殘留的銀、金、銅、鎵、鍺等有價金屬，是有回收價值的綜合利用物料。
典型*化鎵二極管的輻*功率比典型*砷鎵二極管大左右。
快甄別電路由高速砷化鎵隧道二極管組成，快計數電路由ECL超高速D觸發器組成。
報道了摻釹、鉻釓鎵石榴石單晶生長及激光*能的研究工作。
在高ECR等離子體密度下沉積高質量氮化鎵薄膜。
富士通公司指出使用氮化鎵高電子遷移率晶體管技術後，新型放大器功率比目前使用砷化鎵晶體管的放大器的功率提高了6倍多。
在砷化鎵襯底上異質外延*化鎵的表面缺陷與綠*發光管
本文敍述採用雙柵砷化鎵場效應晶體管和高優值硅外延變容二極管實現UHF電子調諧器低噪聲化的有關設計和實驗結果。
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