“離子源”簡單造句，離子源造句子

在離子束濺*和離子輔助沉積光學薄膜技術中，離子源是其中最關鍵的單元技術之一。

通過對離子注入機離子源燈絲絕緣子的結構、尺寸、實際工作效果等方面的分析，提出了一種注入機離子源燈絲絕緣子的優化設計。

質譜儀包括使諸如氦之類的示蹤氣體離子化的離子源、偏轉這些離子的磁鐵以及檢測這些偏轉離子的檢測器。

當電鰻鎖定獵物，它體內的很多細胞通道就打開了，離子源源不斷地流出。

本文介紹了4117型串列加速器運行和改進。其中包括860型離子源電離器實驗情況和從1988年以來高能離子注入實驗情況。

研究結果表明，合理地採用差壓抽氣技術就可以有效地降低離子源漏氣對離子注入機真空度造成的不利影響。

通過固相萃取-氣相*譜-負化學離子源質譜技術建立了11種擬除蟲菊酯類農*殘留的檢測方法，並應用於茶葉農殘檢測。

這是一種新型的強流金屬離子源，特別適用於離子注入、材料改*。

在離子束濺*和離子輔助沉積光學薄膜技術中，離子源是其中最關鍵的單元技術之

利用電子束離子源（EBIS）或者電子束離子陷阱（EBIT）產生的慢速高電荷態重離子束轟擊金屬靶面，離子束與靶面作用並複合輻*特徵X*線；

給出了某些定量關係，為磁四極場用於高頻離子源提供了實驗依據。

配合物在溶液中形成一個混合適量的鹽和一銀滷離子源的生物分子。

用AFM表徵了有離子源電子束蒸發製備薄膜的表面形貌、粗糙度、相位信息，分析認為此工藝下Ta膜為島狀模式生長，不同厚度薄膜表面粗糙度變化不大。

為何清洗離子源之後，基線消失？

論述了冷*極離子源及其在真空鍍膜中的應用。

採用電弧離子鍍膜方法，以高純石墨為碳離子源在PM MA樹脂義齒表面沉積類金剛石膜。

詳細論述了電磁場和永久磁場兩種模式下，端部霍爾離子源的工作穩定*、離子能量大小以及離子束分佈特*的比較。

將電磁場理論與流體力學理論相結合，從理論上推導得到液態金屬離子源發*尖端所應滿足的電磁流體力學方程。

電子轟擊存貯型脈衝離子源是為高分辨率、高靈敏度飛行時間質譜儀設計的新型離子源。

可以確信，微波電子迴旋共振等離子體的發展，將把離子源技術提高到一個新的水平。

為解決麥瓦離子源束流的徑向分佈均勻*問題，採取了加入會切磁場的方法。

電噴霧離子源（ESI），以選擇*正離子方式檢測；

中文關鍵詞:氣離濺*、離子源、陽極層流、濺*、氮化鈦、離子鍍膜、中頻、脈衝直流。

介紹了一種低功率圓柱形陽極層離子源的工作特*和束流分佈特*。

它由液態金屬離子源，源尖微調裝置，離子透鏡及靜電八極偏轉器等組成。

通過調節影響診斷中*束離子源弧流的進氣量燈絲電流和弧壓三個參量，進行了三組離子源起弧實驗

本文系統地描述了強流表面電離離子源的工作原理和結構。

設計了一種以TMSFDSP器件為控制核心，以模糊神經網絡控制為主要算法的智能冷*極潘寧氣體離子源束流控制系統。

本文綜述了ECR放電的基本物理過程和實驗研究概況，介紹了ECR等離子體在表面處理、鍍膜和離子源等方面應用的最新結果。

敍述了為納米聚焦離子束裝置研製的鎵液態金屬離子源的製備。

通過調節影響診斷中*束離子源弧流的進氣量、燈絲電流和弧壓三個參量，進行了三組離子源起弧實驗。

將不同單質機械混合，在不增加註入機離子源數目的基礎上實現了不同離子的共注入。