對於採用冷壓技術製備的鈰參雜的鈦*鋇陶瓷,應用掃描電子顯微鏡來鈰的參雜對鈦*鋇微結構的影響。
相同燒結條件下,添加硼矽*鈣玻璃的鈦*鋇陶瓷在一次與二次燒結制程的收縮率有著顯著差距。
施主摻雜的鈦*鋇陶瓷的PTCR效應來源於晶界上的鋇空位。
同時對鈦*鋇系ptcr半導瓷界面態的組成進行了研究,並提出一種直接測量界面態密度的方法。
本文用絡合滴定法對鈦*鋇中的鋇和鈦分別進行了測定。
利用激光光熱偏轉技術測量了鈦*鋇材料的熱擴散率。
鈦*鋇就是一種典型的位移型鐵電體。
本文從實驗和理論上對鈦*鋇鐵電臨界尺寸的研究進展進行了綜述。
在還原氣氛燒成的條件下,部分V 5 +可以進入鈦*鋇晶格,起到受主摻雜的功效。
綜合比較了能產生理想的純振動模式的特殊晶體的各項參數和*質,然後對鎵*鋰和鈦*鋇晶體的純模方向進行了計算驗*。
鑲嵌模型解釋了鈦*鋇納米晶立方相中的激子自陷機制.
納米鈦*鋇感濕芯片是一種電阻式濕度傳感器。