在內襯上用激光刻上標記。
二百並且將四片微透鏡陣列耦合，形成一個深紫外光刻的象的多孔徑微小光刻系統。
*基二*苊的光氧化作用在無顯影氣相光刻中起着重要作用。
激光刻錄不需要工藝圖紙，減少登記出錯。
本發明還提供了其中感光化合物溶解於溶劑中的感光組合物，使用該感光組合物的光刻膠圖案形成方法，和使用該光刻膠的器件製造方法。
本文探討了一種可應用於極紫外光刻光學系統的離軸五反*鏡系統，它在光學質量、自由工作距離方面滿足了極紫外光刻商業化的要求。
接近式光刻中一般採用柯勒照明系統，並採用蠅眼透鏡形成多點光源均勻掩模面的光場分佈。
**是一種強*，有毒，並能造成嚴重燒傷。能與大多數金屬起作用，用於蝕刻鋼材和光刻。
建立了一種研究激光刻花軋輥表面形貌的三維模型。
分析了用光刻膠記錄激光散斑來製作粗糙度參數可控表面的方法，併成功地製作了一批樣品。
他們首先用激光刻章機對“硫*紙”進行照*，刻章機就可以把打印的內容自動刻制到硬質塑料上，然後再進行精細的手工雕琢，*便做出來了。
製造時在透明介質襯底上用光刻法形成要作孔隙結構的厚光刻膠反圖案；在襯底上從上往下澱積金屬膜；
提出了採用顯微拉曼光譜檢測準分子激光微加工質量的新技術，並在有機玻璃和光刻膠製成的齒輪上分別進行了探索。
聲盤、視盤及光盤的亞微米圓弧線一般通過激光刻錄機光刻製造。
光刻膠的旋塗與烘烤，薄膜材料製備。
本文重點討論了曲面光刻的關鍵技術——自動調焦系統，並對曲面工藝及光刻線條進行實驗分析。
做了激光刻蝕的犁鏵鋼表面清洗對比試驗。
鑽石激光刻字技術是鑽石標記的主流技術。
為了提高在激光直寫設備中光刻系統的寫入精度，對光探頭調焦系統進行了研究。
通過雙遠心成像光路，激光直寫（LDW）系統SVG-LDW04把液晶空間光調製器（Lcd-SLM）上的光斑直接成像在光刻膠板上，得到高質量的光斑圖形。
提出一種新的步進掃描投影光刻機工件台方鏡不平度測量方法。
在微電子技術中，通過曝光並顯影光刻膠除去芯片上的物質露出剩餘部分的工藝。
微電子技術的不斷髮展，對光刻設備精度的要求越來越高，特別是在一些特殊器件的製作領域，要求基片多次曝光後必須達到較高的套刻精度。
針對光刻模型的光學成像系統，本文介紹了基本的基於Hopkins公式的曝光系統模型以及Hopkins的近似算法，即所謂的基於特徵函數的SOCS算法。
激光直寫系統的應用，可以分成一次曝光製作光刻掩模和多次套刻曝光製作器件兩個方面。
成像質量是光學光刻機的最主要指標，硅片調焦調平測量是光刻機控制成像質量的基礎。
無掩模激光干涉光刻中的分束方法一般有波前分割和振幅分割。
二百納米光刻技術在微電子製作中起着關鍵作用，而電子束光刻在納米光刻技術製作中是最好的方法之一。
本文設計、光刻的BOE能將入*的激光束整形成空間二維點陣狀結構光，且其衍*像是非定域的。
研究結果表明，光瞳濾波能大幅度提高投影光刻成像分辨力並增大焦深，是一種比較有效的提高光刻成像質量的技術。
採用該掩模，可進一步解決深x*線光刻中的重複對準多次曝光問題。
根據部分相干光成像理論和抗蝕劑曝光顯影模型，模擬計算了這種灰階編碼掩模產生的空間光強分佈和光刻膠上的浮雕結構。
再次澆上光刻膠，然後再次用紫外線光刻。
通過掃描電鏡研究了激光刻花軋輥上刻花點的微觀結構。
本文提出了應用雙鍍層光刻法制作高温全息光柵的新工藝。
提出了一種面向步進掃描投影光刻機的深紫外準分子激光實時曝光劑量控制算法。
皮錶帶的帶扣和皮圈均用手工縫製。在內襯上用激光刻上標記。
由於市場對尼康193 nm液浸式光刻工具的需求有所抬頭，加上尼康lcd用步進光刻機業務情況相對穩定。
一百介紹了採用光刻離子交換工藝製作平面交叉型微透鏡陣列的方法。
實驗發現，與激光直寫曝光相比，光刻曝光更有利於膠上圖形的陡直度。
通過對光刻工藝過程的研究，可為較好地控制正*光刻膠面形，製作微機械、微光學器件提供了參考依據，對微浮雕結構的深刻蝕具有重要的指導意義。
本文從投影光刻機的圖形傳遞要求出發，導出投影光刻機各主要光學系統的具體要求，並討論這些參數確定的侷限*。
據報道Intel正在使用這款光刻機開發其22nm節點製程邏輯芯片產品.目前尼康是Intel32nm製程芯片關鍵層製造用光刻設備的獨家供應商。
另外，尼康光刻機業務也開始扭虧為盈。
本文介紹了同步輻*光刻鏡掃描控制系統。
應用於立體光刻技術的耐久*，白*，防水和低收縮的樹脂。
下面利用有限積分法模擬形狀變化和光刻精度產生的缺陷對負折*諧振頻率和通帶的影響。
介紹了連續微光學元件在光刻膠上的面形控制方法。
我孔殷地祝賀誕辰的到來，願時光刻都充塞欣喜，照亮前程。
面向全*顯示、光刻等應用的藍綠紫和可見光激光晶體；
提出了優化實驗參數、增加束掩模和利用刻蝕技術三種改善原子光刻實驗的方法。
激光光刻機是一種矮科技的制卡和會員卡製作擺設。
它順應了光學元件微小化和陣列化的趨勢，在光刻、光纖通信、光學信息處理等領域有着廣闊的應用前景。
Gigaphoton原為小松和Ushio各佔50%股份的合資公司,這家公司於2000年8月份成立，主要業務是開發，製造和銷售光刻機用準分子激光器光源，併為顧客提供服務，同時還有研發製造248nm/193nm（乾式/液浸式系統）光刻機。
第二個提高特徵尺寸可刻*的方法是增加光刻成像工具的數值孔徑以及採用浸液式光刻。
因此目前電子束光刻設備主要的用途是用於刻制掩膜板，許多人甚至認為電子束光刻技術的產出量永遠也無法滿足芯片量產的需求。
納米光刻技術在微電子製作中起着關鍵作用，而電子束光刻在納米光刻技術製作中是最好的方法之一。
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