着重探討了近期具有競爭力的各種遠紫外光刻膠。
通過對光刻工藝過程的研究，可為較好地控制正*光刻膠面形，製作微機械、微光學器件提供了參考依據，對微浮雕結構的深刻蝕具有重要的指導意義。
常壓*頻冷等離子體去除光刻膠是近年新興起的技術，已經成為*上研究的熱點之一。
根據對有機引發劑條件下的光刻膠過程的分析得出了納米級實體圖
光刻膠作為一種特殊的膠黏劑，主要用於電子工業中集成電路的細微加工，是電子工業尤其是微電子工業中的必需材料。
無背板生長法是利用SU - 8光刻膠，通過低成本的UV - LIGA技術，直接在金屬基板上電鑄鎳圖形來實現的。
再次澆上光刻膠，然後再次用紫外線光刻
介紹了連續微光學元件在光刻膠上的面形控制方法。
結果表明：採用修正後的劑量曝光，光刻膠中的能量沉積比較均勻，曝光分辨率有較大幅度的提高。
用光刻膠記錄了水窗波段同軸X*線全息圖，並以數字方法再現了原物像。
根據部分相干光成像理論和抗蝕劑曝光顯影模型，模擬計算了這種灰階編碼掩模產生的空間光強分佈和光刻膠上的浮雕結構。
提出了球面旋塗微米級厚度光刻膠膜層薄化率公式及徑向位置演變公式，並得到了膜厚分佈的演變公式
再次澆上光刻膠，然後再次用紫外線光刻。
介紹了利用光刻膠熱熔法制作微透鏡陣列這種簡單、實用的技術。
通過雙遠心成像光路，激光直寫（LDW）系統SVG-LDW04把液晶空間光調製器（LCD-SLM）上的光斑直接成像在光刻膠板上，得到高質量的光斑圖形。
該試劑用於清除勻膠後殘留於硅片邊緣及背面的光刻膠，已經廣泛應用於中、大規模集成電路及其它半導體器件的生產。
本發明公開了一種採用有源層圖形化製備有機場效應晶體管的方法，包括：在絕緣襯底上塗敷光刻膠；
本發明還提供了其中感光化合物溶解於溶劑中的感光組合物，使用該感光組合物的光刻膠圖案形成方法，和使用該光刻膠的器件製造方法
利用SU-8光刻膠製備電鑄模和微電鑄工藝，製造了二維微執行器原型。
分析表明，該方法在光柵槽形的檢測過程中，可以較為有效地判斷光刻膠是否到底，而這一點在掩模的製作工藝中至關重要。
水分散型感光膠乳適用於印花工業的金屬網上，作為光刻膠之用。
通過改變反應氣體的比率或成膜輸 出，可以使無機光刻膠層的氧濃度在厚度方向不同。
分析了現有的精細金屬網板製造工藝的優缺點，提出了採用基於SU-8光刻膠的UV-LIGA技術來製備大厚度高開孔率精細金屬網板的工藝方法。
在微電子技術中，通過曝光並顯影光刻膠除去芯片上的物質露出剩餘部分的工藝。
光刻膠的旋塗與烘烤，薄膜材料製備。
提出了採用顯微拉曼光譜檢測準分子激光微加工質量的新技術，並在有機玻璃和光刻膠製成的齒輪上分別進行了探索。
製造時在透明介質襯底上用光刻法形成要作孔隙結構的厚光刻膠反圖案；在襯底上從上往下澱積金屬膜；
超淨高純試劑和紫外光刻膠作為IC生產工藝中的關鍵材料，隨着IC生產向亞微米和深亞微米方向發展，對他們提出了新的要求。
分析了用光刻膠記錄激光散斑來製作粗糙度參數可控表面的方法，併成功地製作了一批樣品。
結果表明，光刻膠熱熔技術是一種簡單實用的微透鏡陣列製作技術
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