單晶矽退火處理時,往往造成外來雜質的沾汙,降低少子壽命,造成質量下降。
採用直拉單晶矽片代替成本較高的外延矽片,採取鉑擴散的方法引入複合中心,從而控制少子壽命以減少快恢復二極體的反向恢復時間。
研究了為提高基區少子壽命而進行*吸收的機理。
三種吸雜方式都能明顯提高多晶矽的少子壽命。