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單質Z是一種常見的半導體材料，可由X通過如下圖所示的路線製備，其中X為Z的氧化物，Y為*化物，分子結構與**相...

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問題詳情：

單質Z是一種常見的半導體材料，可由X通過如下圖所示的路線製備，其中X為Z的氧化物，Y為*化物，分子結構與**相似。

單質Z是一種常見的半導體材料，可由X通過如下圖所示的路線製備，其中X為Z的氧化物，Y為*化物，分子結構與**相...單質Z是一種常見的半導體材料，可由X通過如下圖所示的路線製備，其中X為Z的氧化物，Y為*化物，分子結構與**相... 第2張單質Z是一種常見的半導體材料，可由X通過如下圖所示的路線製備，其中X為Z的氧化物，Y為*化物，分子結構與**相... 第3張單質Z是一種常見的半導體材料，可由X通過如下圖所示的路線製備，其中X為Z的氧化物，Y為*化物，分子結構與**相... 第4張單質Z是一種常見的半導體材料，可由X通過如下圖所示的路線製備，其中X為Z的氧化物，Y為*化物，分子結構與**相... 第5張單質Z是一種常見的半導體材料，可由X通過如下圖所示的路線製備，其中X為Z的氧化物，Y為*化物，分子結構與**相... 第6張單質Z是一種常見的半導體材料，可由X通過如下圖所示的路線製備，其中X為Z的氧化物，Y為*化物，分子結構與**相... 第7張

下列説法正確的是(　　)

A．X為**氧化物，能與鹼反應，不能與*反應

B．Y的化學式為SiH4

C．X、Z都含有非極*共價鍵

D．X與Mg在加熱條件下反應的化學方程式為SiO2＋2Mg單質Z是一種常見的半導體材料，可由X通過如下圖所示的路線製備，其中X為Z的氧化物，Y為*化物，分子結構與**相... 第8張2MgO＋Si

【回答】

解析：Z是半導體材料，即Z為Si，X為SiO2。A項，SiO2是**氧化物，能與鹼反應，能和HF反應，故錯誤；B項，根據元素守恆，因此Y是SiH4，故正確；C項，SiO2中只含有極*共價鍵，故錯誤；D項，根據反應過程，反應方程式為SiO2＋4Mg單質Z是一種常見的半導體材料，可由X通過如下圖所示的路線製備，其中X為Z的氧化物，Y為*化物，分子結構與**相... 第9張Mg2Si＋2MgO，故錯誤。

*：B

知識點：化學鍵

題型：選擇題

Tags：所示 為化物 單質 分子結構 氧化物
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