第五章研究了直流磁控濺*製備Sb摻雜TiO成膜特點。
採用*頻濺*製備bst薄膜,研究了薄膜的介電擊穿特*。
研究了離子束濺*製備微晶硅薄膜的生長縱向結晶演化過程。
最後使用磁控濺*製備了銻錫合金薄膜,並改變參數製備出不同結構及*能的薄膜。
研究結果表明,磁控濺*製備的碳*膜為非晶結構。